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申请/专利权人：西安理工大学
摘要：本发明公开了具有雪崩增强功能的SiC光触发晶闸管，包括材料为n+型4H‑SiC的衬底，n+型4H‑SiC衬底表面向上制作有n+缓冲层，n+缓冲层表面向上制作有p型缓冲层，p型缓冲层表面向上制作有p‑型长基区，p‑型长基区表面向下制作有p型基区、结终端扩展，结终端扩展位于p型基区两侧，p‑型长基区、p型基区表面向上制作有n短基区等，本发明还公开了具有雪崩增强功能的SiC光触发晶闸管的制造方法。本发明解决了现有技术中存在的SiC光触发晶闸管光电增益不足与开通速度慢的问题。
主权项：1.具有雪崩增强功能的SiC光触发晶闸管，其特征在于，包括材料为n+型4H-SiC的衬底1，n+型4H-SiC衬底1表面向上制作有n+缓冲层2，n+缓冲层2表面向上制作有p型缓冲层3，p型缓冲层3表面向上制作有p-型长基区4，p-型长基区4表面向下制作有p型基区5、结终端扩展10，结终端扩展10位于p型基区5两侧，p-型长基区4、p型基区5表面向上制作有n短基区9，n短基区9表面向上制作有p+发射区8，p+发射区8位于p型基区5上方，阳极欧姆接触金属11位于p+发射区8上表面，阴极欧姆接触金属12位于n+型4H-SiC的衬底1下表面，阳极欧姆接触金属11上表面覆盖有阳极PAD金属13，阴极欧姆接触金属12下表面覆盖有阴极PAD金属14。
全文数据：
权利要求：
百度查询： 西安理工大学 具有雪崩增强功能的SiC光触发晶闸管及制造方法
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