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申请/专利权人：深圳天狼芯半导体有限公司
摘要：本发明提供一种集成SBD的SiC器件及制备方法，该SiC器件包括：集成SBD；所述集成SBD由肖特基金属和漂移层组成；所述肖特基金属位于源极与漂移层之间并与所述源极和所述漂移层邻接；所述漂移层位于衬底上方并与衬底邻接。在源极与漂移层之间集成了肖特基二极管，肖特基二极管的开启电压远低于体二极管，当SiC器件处于反向状态时能够更早于体二极管导通，为反向续流提供导通路径，保护SiC器件不被过大的反向电流损坏，还增加了P型浮岛层用于保护栅极氧化层和降低开关损耗，显著提升了SiC器件的电气性能。
主权项：1.一种集成SBD的SiC器件，其特征在于，包括：集成SBD；所述集成SBD由肖特基金属、P型浮岛层和漂移层；所述漂移层由第一漂移层和第二漂移层组成；所述肖特基金属位于源极与第二漂移层之间并与所述源极和所述第二漂移层邻接；所述第一漂移层位于衬底和所述第二漂移层之间并与衬底和所述第二漂移层邻接；所述第二漂移层位于第一漂移层上方；所述第一漂移层的掺杂浓度小于第二漂移层的掺杂浓度；所述P型浮岛层嵌入所述第一漂移层和所述第二漂移层；所述P型浮岛层嵌入漂移层；所述P型浮岛层层叠设置；位于下方的所述P型浮岛层的宽度小于位于上方的所述P型浮岛层的宽度。
全文数据：
权利要求：
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