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申请/专利权人：中国第一汽车股份有限公司
摘要：本申请涉及一种半导体结构及其制备方法和SiCMOSFET器件。半导体结构，包括：衬底，包括漂移区；所述漂移区包括阱区和JFET区，所述阱区环绕所述JFET区；所述阱区包括第一掺杂区和第二掺杂区，所述第一掺杂区位于所述JFET区和所述第二掺杂区之间；栅氧层，位于所述漂移区背离所述衬底的一侧且覆盖部分所述漂移区；栅电极，位于所述栅氧层背离所述漂移区的一侧且覆盖所述栅氧层；其中，沿垂直于所述衬底的方向，被垂直投影位于所述JFET之内的部分所述栅电极所覆盖的所述栅氧层的厚度为耐雪崩厚度，其余所有所述栅氧层的厚度为标准厚度，其中，耐雪崩厚度大于标准厚度。如此，提升了SiCMOSFET器件的耐雪崩能力。
主权项：1.一种半导体结构，其特征在于，包括：衬底，包括漂移区；所述漂移区包括阱区和JFET区，所述阱区环绕所述JFET区；所述阱区包括第一掺杂区和第二掺杂区，所述第一掺杂区位于所述JFET区和所述第二掺杂区之间；栅氧层，位于所述漂移区背离所述衬底的一侧且覆盖部分所述漂移区；栅电极，位于所述栅氧层背离所述漂移区的一侧且覆盖所述栅氧层；其中，沿垂直于所述衬底的方向，被垂直投影位于所述JFET之内的部分所述栅电极所覆盖的所述栅氧层的厚度为耐雪崩厚度，其余所有所述栅氧层的厚度为标准厚度，其中，所述耐雪崩厚度大于所述标准厚度。
全文数据：
权利要求：
百度查询： 中国第一汽车股份有限公司 半导体结构及其制备方法和SiC MOSFET器件
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