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申请/专利权人：镓能国际有限公司
摘要：本发明提供一种叉指型横向半导体器件及其电流检测和控制方法，涉及半导体技术领域。本发明的叉指型横向半导体器件包括多指高电子迁移率晶体管HEMT。多指高电子迁移率晶体管HEMT包括二维电子气2‑DEG、多个源指和多个漏极指，其中，多个源指中的第一源指在2‑DEG上连续延伸，而多个源指中的第二源指在2‑DEG上不连续；多个漏极指与多个源指相互交错，第二源极指是电流感应元件的一部分。本发明的利用叉指半导体器件的主结构的尺寸与叉指器件感应场效应晶体管的尺寸之比较大的特点，能有效促进整体芯片尺寸的缩小，同时能够提供可靠的电流感应功能。
主权项：1.一种叉指型横向半导体器件，其特征在于，包括多指高电子迁移率晶体管，其中多指高电子迁移率晶体管包括：二维电子气；多个源极指，其中多个源极指中的第一源极指连续穿过二维电子气，多个源极指中的第二源极指不连续穿过二维电子气；以及多个漏极指，其中多个漏极指与多个源极指相互交错，且第二源极指是电流感应元件的一部分。
全文数据：
权利要求：
百度查询： 镓能国际有限公司 叉指型横向半导体器件及其电流检测和控制方法
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