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申请/专利权人：合肥清溢光电有限公司
摘要：本发明涉及掩膜版制造，具体涉及一种掩膜版整版图形关键尺寸均一性改善方法，测量目标掩膜版上不同位置处的感光胶厚度，建立感光胶厚度偏差分布；根据感光胶厚度偏差与图形关键尺寸偏差之间的关系，建立图形关键尺寸偏差分布；根据曝光剂量偏差与图形关键尺寸偏差之间的关系，建立初步曝光剂量偏差分布；对初步曝光剂量偏差分布进行插值计算，建立符合高规格要求的最终曝光剂量偏差分布；根据最终曝光剂量偏差分布建立目标掩膜版的曝光剂量分布，并对目标掩膜版上不同位置处进行相应的曝光剂量补偿；本发明提供的技术方案能够克服现有技术所存在的无法将由掩膜版上不同位置处的感光胶厚度差异带来的整版图形关键尺寸偏差限制在较低水平的缺陷。
主权项：1.一种掩膜版整版图形关键尺寸均一性改善方法，其特征在于：包括以下步骤：S1、测量目标掩膜版上不同位置处的感光胶厚度，建立感光胶厚度偏差分布ΔtMap；S2、根据感光胶厚度偏差Δt与图形关键尺寸偏差ΔCD之间的关系，建立图形关键尺寸偏差分布ΔCDMap；S3、根据曝光剂量偏差Δdose与图形关键尺寸偏差ΔCD之间的关系，建立初步曝光剂量偏差分布ΔdoseMap1；S4、对初步曝光剂量偏差分布ΔdoseMap1进行插值计算，建立符合高规格要求的最终曝光剂量偏差分布ΔdoseMap2；S5、根据最终曝光剂量偏差分布ΔdoseMap2建立目标掩膜版的曝光剂量分布doseMap，并对目标掩膜版上不同位置处进行相应的曝光剂量补偿，以改善整版图形关键尺寸的均一性。
全文数据：
权利要求：
百度查询： 合肥清溢光电有限公司 一种掩膜版整版图形关键尺寸均一性改善方法
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