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申请/专利权人：东京毅力科创株式会社
摘要：本发明提供一种成膜方法和成膜装置，能够提高形成金属膜的区域的选择性。成膜方法包括下述A～C。A准备在表面具有含硼的第一膜、以及由与所述第一膜的材料不同的材料形成的第二膜的基板。B对所述基板的所述表面供给含卤素和卤素以外的元素X的原料气体。C对所述基板的所述表面供给等离子体化后的包含氧的反应气体。在所述成膜方法中，通过交替地进行所述原料气体的供给和所述等离子体化后的所述反应气体的供给，来相对于所述第一膜选择性地在所述第二膜上形成第三膜，所述第三模是所述元素X的氧化膜。
主权项：1.一种成膜方法，包括：准备在表面具有含硼的第一膜、以及由与所述第一膜的材料不同的材料形成的第二膜的基板，其中所述第二膜实质上不含硼且所述第二膜的含硼量为5原子％以下；对所述基板的所述表面供给含卤素和卤素以外的元素X的原料气体；以及对所述基板的所述表面供给等离子体化后的包含氧的反应气体，所述成膜方法包括：通过交替地进行所述原料气体的供给和所述等离子体化后的所述反应气体的供给，来相对于所述第一膜选择性地在所述第二膜上形成第三膜，所述第三膜是所述元素X的氧化膜。
全文数据：
权利要求：
百度查询： 东京毅力科创株式会社 成膜方法和成膜装置
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