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申请/专利权人：株式会社迪思科;国立大学法人长冈技术科学大学;泽边厚仁;木村丰
摘要：金刚石成膜方法包括：基底层形成工序，通过利用了包含铱的第一原料气体的CVD法形成基底层22；以及金刚石层形成工序，通过利用了包含烃气体的第二原料气体的CVD法在基底层22上形成单晶的金刚石层23。
主权项：1.一种金刚石成膜方法，包括如下工序：基底层形成工序，通过利用了第一原料气体的CVD法形成基底层，该第一原料气体包含选自铱、铂、铑、钛和钨中的至少一种金属；以及金刚石层形成工序，通过利用了包含烃气体的第二原料气体的CVD法在所述基底层上形成单晶的金刚石层；在所述金刚石层形成工序中，通过在所述第二原料气体中混合所述第一原料气体，在所述金刚石层中混入所述金属。
全文数据：
权利要求：
百度查询： 株式会社迪思科 国立大学法人长冈技术科学大学 泽边厚仁 木村丰 金刚石成膜方法和金刚石成膜装置
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