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一种锗透镜数控抛光方法 

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申请/专利权人:天津津航技术物理研究所

摘要:本申请提供一种锗透镜数控抛光方法,锗透镜包括第一弧面和第二弧面,方法包括:S1:判断第一弧面的半径与锗透镜的外圆直径的比值大于设定值时,将多个相同的锗透镜排列安装在成盘工装上;S2:根据第一弧面的半径确定抛光盘的半径,依次采用粘贴聚氨酯抛光片和绒布抛光片的抛光盘对多个第一弧面进行成盘抛光,抛光过程中机床循环使用氧化铝抛光液;S3:将锗透镜由成盘工装取下并清洗;S4:判断第二弧面的半径与锗透镜的外圆直径的比值大于设定值时,将多个相同的锗透镜排列安装在成盘工装上,根据第二弧面的半径确定抛光盘的半径,重复步骤S2的抛光过程对第二弧面进行成盘抛光。本申请提供的抛光方法具有兼顾高加工效率和高加工精度的优点。

主权项:1.一种锗透镜数控抛光方法,其特征在于,所述锗透镜1包括第一弧面2和第二弧面3,所述方法包括:S1:判断所述第一弧面2的半径大于所述第二弧面3的半径,且所述第一弧面2的半径与所述锗透镜1的外圆直径的比值大于设定值时,将多个相同的所述锗透镜1排列安装在成盘工装4上;S2:根据所述第一弧面2的半径确定抛光盘的半径,启动机床的数控程序,依次采用粘贴聚氨酯抛光片和绒布抛光片的抛光盘对多个所述第一弧面2进行成盘抛光,抛光过程中机床循环使用氧化铝抛光液;S3:检查抛光后的所述第一弧面2的面形精度和表面光洁度合规时,将所述锗透镜1由所述成盘工装4取下并清洗;S4:判断所述第二弧面2的半径与所述锗透镜1的外圆直径的比值大于所述设定值时,将多个相同的所述锗透镜1排列安装在所述成盘工装4上,根据所述第二弧面3的半径确定所述抛光盘的半径,启动机床的数控程序,重复步骤S2的抛光过程对所述第二弧面3进行成盘抛光。

全文数据:

权利要求:

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