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申请/专利权人：吉林大学
摘要：一种具有组分渐变垒层的氮极性InGaN基红光LED及其制备方法，属于半导体发光器件技术领域。其从下至上依次由衬底、成核层、n型GaN层量子阱有源层和p型GaN层组成，在p型层和n型层上分别设有上电极和下电极。其中，除衬底外各外延氮化物层的晶格极性均为氮极性，且量子阱有源层最后一个垒层为In组分渐变增加的InGaN层。该组分渐变垒层和p型GaN层界面处会同时形成电子势阱和空穴势阱，并且这两个势阱中积累的电子和空穴具有很高的空间波函数重叠度，能够产生高效的辐射复合，从而有效提升InGaN基红光LED发光效率。本发明有助于获得高性能的InGaN基红光LED，从而推动MicroLED显示技术发展。
主权项：1.一种具有组分渐变垒层的氮极性InGaN基红光LED，从下至上依次由衬底1、成核层2、n型GaN层3、量子阱有源层4和p型GaN层5组成，在量子阱有源层4和n型GaN层3间形成裸露的n型GaN层3台面，在该台面及p型GaN层5上分别制备有下电极7和上电极6；其特征在于：成核层2、n型GaN层3、量子阱有源层4和p型GaN层5的晶格极性均为氮极性，且量子阱有源层4由InxGa1-xN垒层和InyGa1-yN阱层交替堆叠构成，量子阱有源层4的最后一个垒层为In组分渐变的InzGa1-zN层，沿生长方向In组分z从m渐变增加至n；其中，0≤x＜y＝n＜1，0≤m＜n，InxGa1-xN垒层和InyGa1-yN阱层的交替堆叠周期数为1～5个周期。
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百度查询： 吉林大学 一种具有组分渐变垒层的氮极性InGaN基红光LED及其制备方法
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