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申请/专利权人：复旦大学;上海集成电路制造创新中心有限公司
摘要：本发明提供了一种具有高整流比和高选择性的神经形态器件及其制备方法，自下而上包括：衬底；底电极层；第一介电层；第二介电层；顶电极层；通过所述第一介电层和所述第二介电层的能带调控以及所述底电极层和所述顶电极层的金属功函数的调制作用，器件的电流‑电压特性可实现正向导通反向截止，从而获得超高的整流比，以及实现在正向小电压时截止大电压时导通，从而获得超高非线性度，继而达到抑制阵列漏电流的作用。在具备抑制漏电流的本征特性的基础上，该器件还可实现包括配对脉冲促进、兴奋性突触后电流和长期增强抑制等神经突触形态学特征与功能。
主权项：1.一种具有高整流比和高选择性的神经形态器件，其特征在于，自下而上包括：衬底；底电极层；第一介电层；第二介电层；顶电极层；通过所述第一介电层和所述第二介电层的能带调控以及所述底电极层和所述顶电极层的金属功函数的调制作用可调整器件的整流比和非线性度，进而抑制漏电流。
全文数据：
权利要求：
百度查询： 复旦大学 上海集成电路制造创新中心有限公司 一种具有高整流比和高选择性的神经形态器件及其制备方法
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