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申请/专利权人：深圳大学
摘要：本发明提出一种隧穿场效应晶体管、其制备方法及光电探测器，涉及光电器件领域。隧穿场效应晶体管包括衬底和绝缘层，以及依次叠设在绝缘层上的导电层、介电层及异质结构层，异质结构层包括第一半导体层和第二半导体层，第一半导体层叠设在介电层上，第二半导体层的部分叠设在第一半导体层上，第二半导体层的其他部分叠设在介电层上，第一半导体层包括二硫化锡层，第二半导体层包括二硒化锡层。本发明的技术方案通过在二硫化锡上形成耗尽区，有效地抑制了界面处的载流子复合；该器件具有约107的开关比，并展示了37.5AW的超高响应度及从紫外到可见光的宽光谱探测特征，有望成为下一代高效光电器件。
主权项：1.一种隧穿场效应晶体管，其特征在于，包括衬底和绝缘层，以及依次叠设在绝缘层上的导电层、介电层及异质结构层，所述异质结构层包括第一半导体层和第二半导体层，所述第一半导体层叠设在所述介电层上，所述第二半导体层的部分叠设在所述第一半导体层上，所述第二半导体层的其他部分叠设在所述介电层上，所述第一半导体层包括二硫化锡层，所述第二半导体层包括二硒化锡层。
全文数据：
权利要求：
百度查询： 深圳大学 隧穿场效应晶体管、其制备方法及光电探测器
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