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申请/专利权人：南昌大学
摘要：本发明公开了一种可提高光子对产生速率的双带quasi‑BIC超表面，该双带quasi‑BIC超表面由周期性排列的单元结构组成，每个单元结构包括一个铌酸锂LiNbO3材料制成的开口圆盘和二氧化硅SiO2衬底；所述开口圆盘上设有开口圆孔，所述开口圆孔的圆心距离开口圆盘的圆心距离为410nm，所述开口圆盘的半径为450nm，厚度为150nm，所述开口圆孔的半径为140nm，所述衬底厚度为100nm，所述双带quasi‑BIC超表面在光强100MWcm2的泵浦光正入射条件下，光子对的生成速率为1.13×106Hz。本发明提供双带quasi‑BIC超表面结构支持双带quasi‑BIC模式，并具有高品质因子和极高的电场增强效应，能够有效增强SPDC非线性量子过程，从而显著提高光子对生成速率，同时相对传统非线性晶体、光子晶体和波导等结构而言，体积更小，能够适配更多应用场景。
主权项：1.一种可提高光子对产生速率的双带quasi-BIC超表面，其特征在于，所述双带quasi-BIC超表面由周期性排列的单元结构组成，每个单元结构包括一个铌酸锂LiNbO3材料制成的开口圆盘和二氧化硅SiO2衬底；所述开口圆盘上设有开口圆孔，所述开口圆盘的半径为450nm，厚度为150nm，所述开口圆孔的半径为140nm，所述衬底厚度为100nm，所述双带quasi-BIC超表面的周期为1500nm。
全文数据：
权利要求：
百度查询： 南昌大学 一种可提高光子对产生速率的双带quasi-BIC超表面
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