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申请/专利权人：浙江大学
申请日：2020-06-18
公开（公告）日：2024-07-05
公开（公告）号：CN111795946B
主分类号：G01N21/41
分类号：G01N21/41;G01N21/64;G01N21/65
优先权：
专利状态码：有效-授权
法律状态：2024.07.05#授权;2020.11.06#实质审查的生效;2020.10.20#公开
摘要：本发明涉及一种全介质BIC结构的相位传感及荧光拉曼增强芯片，分为3层，依次为透明介质基底、介质薄膜、周期性排列的超表面介质纳米结构阵列；通过调整超表面介质纳米结构阵列的结构参数，获得可调节的BIC模式的高Q值谐振峰；高Q值谐振峰处伴随着剧烈的相位突变，可应用于高灵敏的折射率相位传感；谐振峰处的局域电场得到的增强，可应用于增强荧光拉曼的检测信号，增强对超低浓度分子的检测能力；谐振峰的波长可通过调节超表面介质纳米结构阵列的结构参数来改变，可应用于可见光至近红外范围的相位传感及荧光拉曼增强。应用本发明可实现高灵敏的折射率相位传感及荧光拉曼增强，对多模式生物检测、疾病诊断、药物研发等领域具有重要意义。
主权项：1.一种全介质BIC结构的相位传感及荧光拉曼增强芯片，其特征在于，芯片结构分为3层，从底到顶依次为透明介质基底、介质薄膜、周期性排列的超表面介质纳米结构阵列；透明介质基底包括石英玻璃或普通玻璃；介质薄膜为高折射率低损耗的介质材料，包括Si3N4、TiO2、ZnO或Si；介质薄膜的厚度为50-300nm；所述的超表面介质纳米结构阵列的材料为高折射率低损耗的介质材料，包括Si3N4、TiO2、ZnO或Si；所述的周期性排列的超表面介质纳米结构阵列，每个周期单元形状为两个相同尺寸的长方形，长为a，宽为b；每个周期单元的两个长方形的中心间距为d；每个周期单元的两个长方形的高度为h；每个周期单元的两个长方形的围绕各自中心的旋转角度分别为θ、-θ；周期单元的晶格常数分别为Px和Py。
全文数据：
权利要求：
百度查询： 浙江大学 一种全介质BIC结构的相位传感及荧光/拉曼增强芯片
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