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申请/专利权人：南通向阳光学元件有限公司
摘要：本发明公开了一种短波红外双带通低温滤光片及其制备方法，涉及滤光片制备技术领域，包括基座，所述基座的顶端连接有电阻热蒸发镀膜机和电子束蒸发镀膜机，且电子束蒸发镀膜机位于电阻热蒸发镀膜机的一侧，所述电阻热蒸发镀膜机的顶部嵌入连接有镀膜腔。本发明通过连接有镀膜装置，镀膜装置包括电阻热蒸发镀膜机和电子束蒸发镀膜机，通过两种薄膜沉积的方式将锗和氧化硅两种材料在蓝宝石基片的上下表面分别形成具有F‑P结构的短波通道滤光膜系和中波通道滤光膜系，通过两种膜系的组合，叠加形成的滤光片具有双带通功能，使其在低温环境下，可以同时透过短波和中波红外光线。
主权项：1.一种短波红外双带通低温滤光片，包括基座1，其特征在于：所述基座1的顶端连接有电阻热蒸发镀膜机2和电子束蒸发镀膜机3，且电子束蒸发镀膜机3位于电阻热蒸发镀膜机2的一侧，所述电阻热蒸发镀膜机2的顶部嵌入连接有镀膜腔5，所述镀膜腔5的顶端连接有腔盖6，所述镀膜腔5的两侧外表面均连接有液压杆7，且液压杆7的输出端与腔盖6相连接，所述腔盖6的底部和电阻热蒸发镀膜机2的顶壁均连接有基座11，且基座11呈倒C型，所述基座11的两侧嵌入连接有微型电动伸缩棒一，所述镀膜腔5和电阻热蒸发镀膜机2的内壁均连接有光学膜厚监测仪8，且光学膜厚监测仪8位于基座11的侧下方，所述镀膜腔5的底壁连接有坩埚10，且坩埚10用于放置锗，所述电阻热蒸发镀膜机2的底壁连接有蒸发源12，且蒸发源12用于放置氧化硅，所述镀膜腔5的一侧内壁连接有磁场控制器55，且磁场控制器55位于光学膜厚监测仪8的侧下方，所述镀膜腔5的另一侧内壁通过连接座连接有电子枪9，且电子枪9位于光学膜厚监测仪8的下方，所述镀膜腔5的背面和电阻热蒸发镀膜机2的一侧均连接有抽气管道13，所述抽气管道13的一端连接有气体传输泵一4，且两组气体传输泵一4分别位于电子束蒸发镀膜机3和电阻热蒸发镀膜机2的一侧。
全文数据：
权利要求：
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