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OPC模型的建立方法和装置、光学邻近修正方法和设备、存储介质 

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申请/专利权人:浙江创芯集成电路有限公司

摘要:一种OPC模型的建立方法和装置、光学邻近修正方法和设备、存储介质,所述建立方法包括:形成半导体结构,所述半导体结构具有经刻蚀层;通过量测机台,对所述经刻蚀层进行量测,获得刻蚀后量测值;将所述刻蚀后量测值转换为对应的显影后量测值;根据所述显影后量测值,建立OPC模型。所述经刻蚀层中图形的轮廓清晰度更高,量测机台所获得的刻蚀后量测值准确度更高、精度更高,以刻蚀后量测值转换而得的显影后量测值为基础所建立的OPC模型的误差更小、精度更高,有利于降低光学邻近修正方法的误差,提高修正精度。

主权项:1.一种OPC模型的建立方法,其特征在于,包括:形成半导体结构,所述半导体结构具有经刻蚀层;通过量测机台,对所述经刻蚀层进行量测,获得刻蚀后量测值;将所述刻蚀后量测值转换为对应的显影后量测值;根据所述显影后量测值,建立OPC模型。

全文数据:

权利要求:

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