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掩模板的图案修正方法及其系统 

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申请/专利权人:合肥晶合集成电路股份有限公司

摘要:本公开提供了一种掩模板的图案修正方法及其系统,该图案修正方法包括:获取目标图案;对目标图案的光刻图案进行光学临近修正;判断沿第一方向相邻的光刻图案的间距是否小于预设距离,若判断结果为否,输出光刻图案;以及若判断结果为是,沿第二方向在目标图案的边缘添加辅助图案以更新目标图案或者调整辅助图案的尺寸以增大目标图案沿第二方向上的边缘长度,并返回对目标图案的光刻图案进行光学临近修正的步骤,第一方向垂直于第二方向,沿第二方向,光刻图案的尺寸随目标图案的尺寸同向变化。本公开的图案修正方法在保证光刻图案符合掩模版最小尺寸规则值的同时,可以提高目标图案的收敛度和准确度,保证光刻的准确性,进一步保证了产品的性能。

主权项:1.一种掩模板的图案修正方法,包括:获取目标图案;对所述目标图案的光刻图案进行光学临近修正;判断沿第一方向相邻的所述光刻图案的间距是否小于预设距离,若判断结果为否,输出所述光刻图案;以及若判断结果为是,沿第二方向在所述目标图案的边缘添加辅助图案以更新所述目标图案或者调整所述辅助图案的尺寸以增大所述目标图案沿所述第二方向上的边缘长度,并返回所述对所述目标图案的光刻图案进行光学临近修正的步骤,其中,所述第一方向垂直于所述第二方向,沿所述第二方向,所述光刻图案的尺寸随所述目标图案的尺寸增大而增大。

全文数据:

权利要求:

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