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适用于PMOS型LDO的功率管电流检测电路及方法 

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申请/专利权人:江苏帝奥微电子股份有限公司

摘要:本发明公开了一种适用于PMOS型LDO的功率管电流检测电路,包含功率管MPN、SENSE管MPS、PMOS管PM5、PMOS管PM6、PMOS管PM7、NMOS管NM3、NMOS管NM4和电流镜比较电路,PMOS管PM5、PMOS管PM6、NMOS管NM3和NMOS管NM4组成自偏置电流镜结构,PMOS管PM7串接在SENSE管MPS支路上并由电流镜比较电路控制。本发明可以在正常工作的情况下不会导致电路静态功耗异常增大,同时可以精确拷贝功率管电流。

主权项:1.一种适用于PMOS型LDO的功率管电流检测电路,其特征在于:包含功率管MPN、SENSE管MPS、PMOS管PM5、PMOS管PM6、PMOS管PM7、NMOS管NM3、NMOS管NM4和电流镜比较电路,功率管MPN的源极和SENSE管MPS的源极连接电源VDD,功率管MPN的栅极和SENSE管MPS的栅极连接控制信号GATE,功率管MPN的漏极与PMOS管PM5的源极和电流镜比较电路的第一输入端连接并产生输出信号VOUT,电流镜比较电路的第二输入端连接电源VDD,SENSE管MPS的漏极与PMOS管PM6的源极连接,PMOS管PM5的栅极与PMOS管PM5的漏极、NMOS管NM3的漏极和PMOS管PM6的栅极连接,PMOS管PM6的漏极与PMOS管PM7的源极连接,PMOS管PM7的栅极与电流镜比较电路的输出端连接,PMOS管PM7的漏极与NMOS管NM4的漏极、NMOS管NM4的栅极和NMOS管NM3的栅极连接并连接检测电压信号V_SENSE,NMOS管NM3的源极和NMOS管NM4的源极接地。

全文数据:

权利要求:

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