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申请/专利权人：北京石墨烯研究院产业发展有限公司
摘要：本发明提出了一种CVD方法及系统。所述方法包括以下步骤：步骤1：将衬底材料放置在CVD生长区，升温至第一温度，然后通入反应气体，所述反应气体由CVD生长区的一端流向另一端，开始CVD生长；步骤2：经过静态生长时间后，将衬底材料以预设速度沿反应气体流动方向的反方向移出CVD生长区；步骤3：将全部衬底材料移出CVD生长区，CVD生长结束。一种CVD系统，包括：放样腔：所述衬底材料从所述放样腔中进行放样；传动装置：所述传动装置将所述衬底材料送入或移出所述CVD生长区；进气装置和出气装置：所述进气装置和出气装置分别位于所述CVD生长区的两侧；CVD生长区：进行薄膜或涂层的CVD生长。使用本发明的方法和系统，相比静态工艺可以大幅改善产品表面的均匀性，相比动态工艺可以实现大幅宽衬底材料上的生长，并且极大地提高了生长效率。
主权项：1.一种CVD方法，其特征在于，包括以下步骤：步骤1：将衬底材料30放置在CVD生长区20，升温至第一温度，然后通入反应气体，所述反应气体由CVD生长区的一端流向另一端，开始CVD生长；步骤2：经过静态生长时间后，将衬底材料30以预设速度沿反应气体流动方向的反方向移出CVD生长区20；步骤3：将全部衬底材料30移出CVD生长区20，CVD生长结束。
全文数据：
权利要求：
百度查询： 北京石墨烯研究院产业发展有限公司 CVD方法和系统
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