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申请/专利权人：拓荆创益(沈阳)半导体设备有限公司
摘要：本发明为一种工艺腔室及薄膜沉积设备，提供了一种加热盘及抽气环。所述加热盘用于承载并加热其上的晶圆，以对其进行薄膜沉积工艺。所述抽气环位于所述加热盘之下，并包括设有多个抽气孔的抽气面。所述抽气面沿其径向的外侧的第一高度大于沿其径向的内侧的第二高度，真空机构经由所述抽气面上的各所述抽气孔，倾斜地从所述工艺腔室内部抽气。用于降低排气过程中工艺腔室底部的颗粒堆积，从而提高腔室的清洁度和薄膜沉积设备的运行效率。
主权项：1.一种工艺腔室，包括：加热盘，用于承载并加热其上的晶圆，以对其进行薄膜沉积工艺；以及抽气环，位于所述加热盘之下，并包括设有多个抽气孔的抽气面，其特征在于，所述抽气面沿其径向的外侧的第一高度大于沿其径向的内侧的第二高度，真空机构经由所述抽气面上的各所述抽气孔，倾斜地从所述工艺腔室内部抽气。
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