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申请/专利权人:中微半导体设备(上海)股份有限公司
摘要:本发明公开了一种等离子体处理装置及基片处理方法,涉及半导体处理技术领域,所述等离子体处理装置包括:反应腔,所述反应腔内设置有一气体喷淋头和一与所述气体喷淋头相对设置的基座,所述气体喷淋头用于向所述反应腔内输送反应气体,所述反应气体在所述反应腔内被激发为等离子体;等离子体约束环,其环绕所述基座设置,用以避免所述等离子体进入抽气通道;抽气装置,对所述反应腔抽气,所述抽气装置的抽气路径经过所述等离子体约束环;还包括:辅助气体通道,用于向所述等离子体约束环所在区域通入电中性气体。本发明既能实现反应腔内达到低气压条件,又能增加等离子体约束环的等离子体约束能力。
主权项:1.一种等离子体处理装置,包括:反应腔,所述反应腔内设置有一气体喷淋头和一与所述气体喷淋头相对设置的基座,所述气体喷淋头用于向所述反应腔内输送反应气体,所述反应气体在所述反应腔内被激发为等离子体;等离子体约束环,其环绕所述基座设置,用以避免所述等离子体进入抽气通道;抽气装置,对所述反应腔抽气,所述抽气装置的抽气路径经过所述等离子体约束环;其特征在于,还包括:辅助气体通道,用于向所述等离子体约束环所在区域通入电中性气体。
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权利要求:
百度查询: 中微半导体设备(上海)股份有限公司 等离子体处理装置及基片处理方法
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