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申请/专利权人：苏州四方杰芯电子科技有限公司

摘要：本申请公开了一种提高共模瞬态抗扰度的数字隔离器，涉及集成电路隔离技术领域，包括一对收发芯片，其中，每个收发芯片结构相同，收发芯片包括发送模块和接收模块；数字控制模块，用于控制一对收发芯片中的一个处于发送模式，同时，另一个处于接收模式。将两个相同的收发模块连接到一起能够实现任意方向多通道信号传输。此外，还公开了一种包络检波模块、CMTI增强模块、以及噪声消除模块，用于提高数字隔离器的共模瞬态抗扰度，以及解决传输信号衰减大易受噪声影响的问题。

主权项：1.一种提高共模瞬态抗扰度的数字隔离器，其特征在于，包括：一对收发芯片，其中，每个所述收发芯片结构相同，所述收发芯片包括发送模块和接收模块；数字控制模块，用于控制所述一对收发芯片中的一个处于发送模式，同时，另一个处于接收模式；差分驱动模块，位于第一电压域，用于将输入至所述收发芯片的数字信号转换为全差分信号，并传输至同一电压域中的所述发送模块；所述发送模块，用于利用振荡器产生的时钟信号对所述全差分信号进行OOK调制，生成高频全差分信号；并通过隔离电容模块将所述高频全差分信号传输至位于第二电压域的所述接收模块；所述隔离电容模块包括：一对隔离电路，其中，每个所述隔离电路结构相同，所述一对隔离电路用于处理所述高频全差分信号的两路互补差分信号；所述接收模块用于接收所述高频全差分信号，并解调还原为输入至所述收发芯片的数字信号；所述接收模块包括：CMTI增强模块；所述数字控制模块还用于：检测所述隔离电容模块输出的所述高频全差分信号，响应于检测到所述高频全差分信号中的共模瞬态电压大于目标瞬态电压，使能控制所述CMTI增强模块对所述高频全差分信号进行补偿；其中，所述CMTI增强模块包括：第一至第四电阻、第一至第五电容、第一至第七NMOS管、以及第一至第五PMOS管；所述第一NMOS管的第一端和第三端与所述第一电阻的一端、第二PMOS管的第二端相连，所述第一电阻的另一端与第一电源和所述第三NMOS管的第一端相连；所述第一PMOS管的第二端与所述第一NMOS管的第二端、所述第四NMOS管的第三端、所述第四PMOS管的第三端、所述第七NMOS管的第三端以及所述第五PMOS管的第三端相连接；所述第一PMOS管的第三端和第一端与所述第二电阻的一端、所述第二NMOS管的第二端相连；所述第二电阻的另一端接地，并与所述第一至第五电容的第二端、所述第三至第五PMOS管的第一端相连；所述第二PMOS管的第三端用于输入第一使能信号ENB1；所述第二PMOS管的第一端与所述第一电容的第一端、所述第三电容的第一端、以及所述第三NMOS管的第三端相连；所述第二NMOS管的第三端用于输入第二使能信号EN2，所述第二NMOS管的第一端与所述第二电容的第一端以及所述第三PMOS管第三端相连；所述第三NMOS管的第二端与所述第三PMOS管的第二端、所述第四电容的第一端、所述第五电容的第一端、所述第三电阻的一端、以及所述第四电阻的一端相连；所述第三电阻的另一端与所述第四NMOS管的第二端以及所述第四PMOS管的第二端相连，并作为第一端口输出；所述第四电阻的另一端与所述第七NMOS管的第二端以及所述第五PMOS管的第二端相连，并作为第二端口输出；所述第五NMOS管与所述第六NMOS管的第三端用于输入第三使能信号EN3；所述第五NMOS管的第一端接第二电源，并与所述第六NMOS管的第一端相连；所述第五NMOS管的第二端与所述第四NMOS管的第一端相连；所述第六NMOS管的第二端与所述第七NMOS管的第一端相连；所述响应于检测到所述高频全差分信号中的共模瞬态电压大于目标瞬态电压，使能控制所述CMTI增强模块对所述高频全差分信号进行补偿包括：通过所述第一至第三使能信号，导通所述CMTI增强模块，使所述CMTI增强模块对所述高频全差分信号进行补偿。

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