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申请/专利权人：中国振华集团永光电子有限公司(国营第八七三厂)
摘要：一种高功率密度集成电路模块封装结构，属于微电子器件封装技术领域。在陶瓷封装外壳的内腔组装区域，将芯片组装区域设置热沉区和功能区，热沉区和功能区设置为平底凹坑，根据电路中芯片功率的大小分级，采用2级及以上台阶式结构，按芯片功率从大到小，从深平底凹坑到浅平底凹坑进行分布，热沉区低于功能区，大功率的功率型芯片组装在热沉区，小功率的功能型芯片组装在功能区，在热沉区或功能区下方设置贯穿陶瓷底座本体的金属通孔，进行最短路径散热和最短路径内外电连接。解决了现大功率器件（组件或模块）功率密度低、集成度低、寄生阻抗和寄生感抗大、可靠性低、应用成本高的问题。广泛用于高可靠功率集成电路模块集成技术领域。
主权项：1.一种高功率密度集成电路模块封装结构，其特征在于：包括陶瓷底座本体、环形边框、陶瓷隔离墙、热沉区、功能区、热沉区芯片焊接金属层、功能区芯片焊接金属层、封装内部腔体、封口环、贯穿式金属通孔、底表面电极、盖板、内引线键合区及导带；封口环位于陶瓷底座本体的环形边框的顶部；陶瓷底座本体为多层陶瓷共烧体，每层陶瓷上面有金属通孔和互连线，层与层之间按设定的线路通过金属通孔和互连线进行电气连接；陶瓷底座本体底面有1个以上底表面电极，底表面电极与封装内部腔体相应的电极端连接；陶瓷底座本体包括凸起的环形边框、低于环形边框底部的组装区域，组装区域包括贯穿式金属通孔、热沉区芯片焊接金属层、功能区芯片焊接金属层、内引线键合区及导带；热沉区芯片焊接金属层、功能区芯片焊接金属层的之间由陶瓷隔离墙隔离，根据电路性能要求，每个芯片焊接金属层制作在设定不同深度的平底凹坑区域；贯穿式金属通孔位于芯片焊接金属层的正下方，垂直贯穿陶瓷底座本体，贯穿式金属通孔的内表面与芯片背面连接，贯穿式金属通孔的外表面与相应的底表面电极连接；组装区域内相应器件与内引线键合区之间通过键合丝连接；盖板位于封口环上面，与封口环密封连接。
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百度查询： 中国振华集团永光电子有限公司(国营第八七三厂) 一种高功率密度集成电路模块封装结构
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