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申请/专利权人：三星电子株式会社
摘要：本发明公开了一种集成电路装置及其制造方法。该集成电路装置可以包括在衬底上的上晶体管。上晶体管可以包括上沟道区。集成电路装置可以进一步包括在衬底和上晶体管之间的下晶体管。下晶体管可以包括下沟道区、包括绝缘材料并且邻近下沟道区的侧表面的栅极间间隔物、以及栅极层。栅极间间隔物可以在下沟道区的侧表面和栅极层之间。
主权项：1.一种集成电路装置，包括：在衬底上的上晶体管，所述上晶体管包括上沟道区；在所述衬底和所述上晶体管之间的下晶体管，所述下晶体管包括下沟道区；栅极间间隔物，包括绝缘材料并且邻近所述下沟道区的侧表面；以及栅极层，其中所述栅极间间隔物在所述下沟道区的所述侧表面与所述栅极层之间。
全文数据：
权利要求：
百度查询： 三星电子株式会社 集成电路装置及其制造方法
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