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申请/专利权人：北京交通大学;泰科天润半导体科技(北京)有限公司
摘要：本发明提供了一种双栅型功率金属氧化物半导体场效应晶体管及其驱动电路,包括主功率单元以及辅助稳定单元，所述主功率单元为第一MOSFETQ1，所述辅助稳定单元为第二MOSFETQ2；在较高的漏源电压电流变化率条件下，保持MOSFET栅源电压稳定性，让MOSFET获得鲁棒免疫高开关速度干扰的特性。采用该功率半导体器件的电力电子变换器系统能够可靠工作于更高频率、更高电压的环境。
主权项：1.一种双栅型功率金属氧化物半导体场效应晶体管，其特征在于：包括主功率单元以及辅助稳定单元，所述主功率单元为第一MOSFETQ1，所述辅助稳定单元为第二MOSFETQ2；所述第一MOSFETQ1的栅极与第二MOSFETQ2芯片的源极相连，之后接出引线设为引脚g1；所述第二MOSFETQ2的栅极与其漏极连接，之后接出引线设为引脚g2；所述第一MOSFETQ1的源极分别接出至少两个引线，分别设为驱动源极引脚ds1和功率源极引脚ps1，或一个源极s1；所述第一MOSFETQ1的漏极设为引脚d1。
全文数据：
权利要求：
百度查询： 北京交通大学 泰科天润半导体科技(北京)有限公司 双栅型功率金属氧化物半导体场效应晶体管及其驱动电路
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