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申请/专利权人：北京字跳网络技术有限公司
摘要：本发明提供了MicroLED芯片及其制作方法。制作MicroLED芯片的方法包括：在蓝宝石衬底的一个表面制作多个间隔设置的孔洞；在孔洞中形成填充层，填充层包括层叠设置的第一氮化铝层、GaN层和第二氮化铝层；在蓝宝石衬底的表面形成LED器件，包括多个量子阱发光层的步骤，量子阱发光层的有效发光区在蓝宝石衬底上的正投影位于孔洞内，且包括含InGaN；在LED器件远离蓝宝石衬底的一侧依次形成导电膜层、反射镜、绑定金属层；在绑定金属层远离蓝宝石衬底的表面上绑定像素驱动电路；利用激光剥离技术将蓝宝石衬底剥离，同时剥离填充层。在孔洞中填充含有氮化镓的填充层，可以对量子阱发光层起到较好的保护作用。
主权项：1.一种制作MicroLED芯片的方法，其特征在于，包括：在蓝宝石衬底的一个表面制作多个间隔设置的孔洞；在所述孔洞中形成填充层，所述填充层包括层叠设置的第一氮化铝层、GaN层和第二氮化铝层；在所述蓝宝石衬底的表面形成LED器件，形成所述LED器件的步骤包括形成包括多个量子阱发光层的步骤，所述量子阱发光层包括蓝光量子阱发光层、绿光量子阱发光层和红光量子阱发光层，其中，所述量子阱发光层的有效发光区在所述蓝宝石衬底上的正投影位于所述孔洞内，所述蓝光量子阱发光层、所述绿光量子阱发光层和所述红光量子阱发光层中均包括InGaN；在所述LED器件远离所述蓝宝石衬底的一侧依次形成导电膜层、反射镜、绑定金属层；在所述绑定金属层远离所述蓝宝石衬底的表面上绑定像素驱动电路；使用激光剥离技术剥离所述蓝宝石衬底和所述填充层。
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百度查询： 北京字跳网络技术有限公司 Micro LED芯片及其制作方法
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