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申请/专利权人:武汉高芯科技有限公司
摘要:本发明涉及一种碲镉汞探测器金属电极的制备方法及碲镉汞探测器,包括如下步骤:S1、提供碲镉汞pn结阵列;S2、在碲镉汞pn结阵列上生长第一层钝化膜;S3、在第一层钝化膜上开第一层金属电极孔,生长第一层金属电极,第一层金属电极与碲镉汞pn结阵列电导通;S4、在第一层钝化膜上生长第二层钝化膜,第二层钝化膜覆盖第一层钝化膜和第一层金属电极;S5、在第二层钝化膜上开第二层金属电极孔,生长第二层金属电极,第二层金属电极孔与第一层金属电极电导通。本发明将金属电极分成两层制备,避免采用复合钝化膜的碲镉汞探测器的金属电极孔深宽比过大的问题;且每层钝化膜都单独生长、单独完成开孔,避免了不同钝化膜层因物理化学特性不同造成金属电极孔一致性差和均匀性差的问题。
主权项:1.一种碲镉汞探测器金属电极的制备方法,其特征在于,包括如下步骤:S1、提供碲镉汞pn结阵列;S2、在所述碲镉汞pn结阵列上生长第一层钝化膜;S3、在所述第一层钝化膜上开第一层金属电极孔,生长第一层金属电极,所述第一层金属电极与所述碲镉汞pn结阵列电导通;S4、在所述第一层钝化膜上生长第二层钝化膜,所述第二层钝化膜覆盖所述第一层钝化膜和第一层金属电极;S5、在所述第二层钝化膜上开第二层金属电极孔,生长第二层金属电极,所述第二层金属电极与所述第一层金属电极电导通。
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百度查询: 武汉高芯科技有限公司 一种碲镉汞探测器金属电极的制备方法及碲镉汞探测器
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