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申请/专利权人：格科半导体(上海)有限公司
摘要：本发明公开了一种SRAM及用于改善SRAM填充缺陷的方法，其中SRAM包括：两组通栅和下拉晶体管，以及位于两组通栅和下拉晶体管之间的两组上拉晶体管；上拉晶体管包括中间段和位于中间段两边的边缘段，中间段的第一面和边缘段的第一面，分别与同一组的下拉晶体管和通栅相对；两组上拉晶体管的边缘段的第二面相对。本发明通过配置边缘段不同部位到该边缘段相对的通栅的距离时，通过减小边缘段第一面到相对通栅的距离，来增大两组上拉晶体管的边缘段第二面之间的距离，使得STIHDP能够顺利填充，减少在上拉晶体管的两端形成的空洞，从而改善填充缺陷。
主权项：1.一种SRAM，包括两组通栅和下拉晶体管，以及位于两组所述通栅和下拉晶体管之间的两组上拉晶体管，其特征在于，所述上拉晶体管包括中间段和位于所述中间段两边的边缘段，所述中间段的第一面和所述边缘段的第一面，分别与同一组的下拉晶体管和通栅相对；两组上拉晶体管的边缘段的第二面相对；通过配置边缘段不同部位到该边缘段相对的通栅的距离，来控制两组上拉晶体管的边缘段之间的距离；边缘段处靠近中间段的部位到相对通栅的距离大于边缘段处远离中间段的部位到相对通栅的距离。
全文数据：
权利要求：
百度查询： 格科半导体(上海)有限公司 一种SRAM及用于改善SRAM填充缺陷的方法
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