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申请/专利权人：上海华力集成电路制造有限公司
摘要：一种双端口SRAM存储单元，包括第一至第四NMOS；第一、第二NMOS的栅极与第三、第四NMOS的漏极共同连接字线；第一NMOS的源极连接第一位线；第三NMOS的源极连接第四位线；第二NMOS的源极连接第三位线；第四NMOS的源极连接第二位线；设有输入节点Q和输出节点Qb的锁存器；第一NMOS的漏极、第三NMOS的栅极共同连接至锁存器的输入节点Q；第二NMOS的漏极、第四NMOS的栅极共同连接至锁存器的输出节点Qb。本发明在不改变传统SRAM单元长宽尺寸的情况下，通过八颗晶体管的再排布，显著改善双端口SRAM存储单元的对称性，有效提高读写速度以及读干扰窗口，而且与传统工艺兼容。由于双端口SRAM广泛应用于CPU一级高速缓冲器，对于其速度要求更高，所以本发明具有其现实意义。
主权项：1.一种双端口SRAM存储单元，其特征在于，至少包括：第一至第四NMOS；所述第一、第二NMOS的栅极与所述第三、第四NMOS的漏极共同连接字线；所述第一NMOS的源极连接第一位线；所述第三NMOS的源极连接第四位线；所述第二NMOS的源极连接第三位线；所述第四NMOS的源极连接第二位线；设有输入节点Q和输出节点Qb的锁存器；所述第一NMOS的漏极、第三NMOS的栅极共同连接至所述锁存器的输入节点Q；所述第二NMOS的漏极、第四NMOS的栅极共同连接至所述锁存器的输出节点Qb。
全文数据：
权利要求：
百度查询： 上海华力集成电路制造有限公司 一种双端口SRAM存储单元及其版图结构
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