龙图腾网&IPTOP
- 微信扫码登录
- 账号密码登录
- 短信登录/注册
买专利卖专利找龙图腾，真高效！ 查专利查商标用IPTOP,全免费！专利年费监控用IP管家,真方便！
申请/专利权人：深圳平创半导体有限公司;重庆平创半导体研究院有限责任公司
摘要：本发明涉及半导体器件技术领域，具体公开了一种SiCMOSFET器件及制备方法，其中器件，包括：金属漏极，N+型衬底；N+型缓冲层，两个N型漂移区，两个N型载流子存储层，两个P阱；分别位于两个P阱之上的P+型掺杂区以及N+型掺杂区；位于两个N+型掺杂区、P阱、N型载流子存储层、N型漂移区之间的沟槽；位于沟槽内的栅极；位于栅极的外侧和底部栅极氧化层；位于栅极下方的横向交替排列的N型掺杂区和P型掺杂区；位于中间N型掺杂区顶部的又一N+型掺杂区；位于P型掺杂区顶部的又一P阱；位于沟槽内以及沟槽顶部的金属源极；位于沟槽内以及沟槽顶部，将多晶硅栅极和金属源极隔离开的氧化层。采用本发明的技术方案能够有效降低总导通电阻，提升综合性能。
主权项：1.一种低导通电阻的SiCMOSFET器件，其特征在于，包括：金属漏极；位于金属漏极之上的N+型衬底；位于N+型衬底之上的N+型缓冲层；分别位于N+型缓冲层之上两侧的两个N型漂移区；分别位于两个N型漂移区之上的N型载流子存储层；分别位于两个N型载流子存储层之上的P阱；分别位于两个P阱之上的P+型掺杂区以及N+型掺杂区；位于两个N+型掺杂区、P阱、N型载流子存储层、N型漂移区之间的沟槽；位于沟槽内的栅极；位于栅极的外侧和底部栅极氧化层；位于栅极下方的横向交替排列的N型掺杂区和P型掺杂区；位于中间N型掺杂区顶部的又一N+型掺杂区；位于P型掺杂区顶部的又一P阱；位于沟槽内以及沟槽顶部的金属源极；其中，金属源极与又一N+型掺杂区接触，P型掺杂区将中间N型掺杂区与N+型缓冲层隔离；位于沟槽内以及沟槽顶部，将多晶硅栅极和金属源极隔离开的氧化层。
全文数据：
权利要求：
百度查询： 深圳平创半导体有限公司 重庆平创半导体研究院有限责任公司 一种低导通电阻的SiC MOSFET器件及制备方法
免责声明
1、本报告根据公开、合法渠道获得相关数据和信息，力求客观、公正，但并不保证数据的最终完整性和准确性。
2、报告中的分析和结论仅反映本公司于发布本报告当日的职业理解，仅供参考使用，不能作为本公司承担任何法律责任的依据或者凭证。
主营中国专利交易买卖与专利转让许可,高校科技成果推广与科技成果转化,知识产权运营管理与平台开发,科技人才专家库与科技猎头等科技服务
开放平台
担保交易
惠及多方
会员特惠
专属平台
适合多方
数据共享
功能齐全
皖公网安备 34010402703815号