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申请/专利权人：中国科学院国家空间科学中心
摘要：本发明公开了一种功率MOSFET的SEB性能评价方法及装置，方法包括：接收携带构成功率MOSFET的基本单元的单元工艺空间结构参数和电性能参数的单粒子性能评价查询请求；从预先建立的单元工艺空间结构参数与SEB效应的对应关系中，查询携带的单元工艺空间结构参数是否存在SEB效应，从预先建立的电性能参数与线性能量传输阈值的对应关系中，查询携带的电性能参数对应的线性能量传输阈值；输出查询结果。因为建立了单元工艺空间结构参数与SEB效应的对应关系和电性能参数与线性能量传输阈值的对应关系数据库，所以在单元工艺空间结构参数和电性能参数与数据库中数据匹配时，可以快速对功率MOSFET的SEB性能进行评价。
主权项：1.一种功率MOSFET的SEB性能评价方法，包括：接收单粒子性能评价查询请求，所述请求中携带构成功率MOSFET的基本单元的单元工艺空间结构参数和电性能参数；从预先建立的单元工艺空间结构参数与SEB效应的对应关系中，查询所述请求中携带的单元工艺空间结构参数是否存在SEB效应，从预先建立的电性能参数与线性能量传输阈值的对应关系中，查询所述请求中携带的电性能参数对应的线性能量传输阈值；在查询到存在SEB效应时，将查询到的线性能量传输阈值作为评价结果输出；在查询到不存在SEB效应时，将不存在SEB效应作为评价结果输出。
全文数据：
权利要求：
百度查询： 中国科学院国家空间科学中心 一种功率MOSFET的SEB性能评价方法及装置
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