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申请/专利权人：北京理工大学重庆微电子研究院;北京理工大学

摘要：本发明提供了一种太赫兹MEMS频率可重构滤波器及其实现方法，包括波导组件和MEMS位移执行器，波导组件构成一个N阶太赫兹滤波器，MEMS位移执行器至少形成N个位移量可调的MEMS可调谐平面，MEMS可调谐平面通过调节位移量来同步等值改变所述N阶太赫兹滤波器的N个矩形谐振腔的宽度，以实现太赫兹滤波器的中心频率可重构。本发明具有大范围连续调节太赫兹波工作频率的功能，解决了当前太赫兹射频前端系统中工作频率调节困难且频率调节不连续的问题；利用这种MEMS微型可动结构调节太赫兹滤波器的工作频率，解决了当前太赫兹可重构滤波器性能差且体积大的问题；通过同步对称改变太赫兹波导滤波器谐振宽度的方法，实现太赫兹滤波器的工作频率连续可调而工作带宽保持不变。

主权项：1.一种太赫兹MEMS频率可重构滤波器，其特征在于，包括：波导组件，所述波导组件至少包括位于两端的两个矩形波导，以及位于两个所述矩形波导之间的N个矩形谐振腔和N+1个耦合窗口，且第N个矩形谐振腔位于第N个和第N+1个耦合窗口之间，共同构成一个N阶太赫兹滤波器；MEMS位移执行器，所述MEMS位移执行器为两组，并分别装配至由N个所述矩形谐振腔的两侧壁面形成的2N个调谐开口处，其中，每组所述MEMS位移执行器至少形成N个位移量可调的MEMS可调谐平面，2N个所述MEMS可调谐平面通过调节位移量来同步等值改变N个所述矩形谐振腔的宽度，以实现N阶太赫兹滤波器的中心频率可调且工作带宽不变；所述MEMS位移执行器至少包括基底组件和设置在所述基底组件的电源接口，还包括：电变性构件组和金属面，所述电变性构件组与所述金属面构成连接，且所述电变性构件组被所述电源接口施加偏置电压后在部分位置产生形变以驱使所述金属面发生垂直于所述基底组件方向上的位移，并以此形成一个位移量可调的所述MEMS可调谐平面；所述电变性构件组包括相互连接的多个电变性构件和多个L型悬臂梁，其中，多个电变性构件接收到所述电源接口施加的偏置电压后在多个点位发生形变，并在此多点位形变协同作用下联动多个所述L型悬臂梁驱使所述金属面发生垂直于所述基底组件方向上的位移；所述电变性构件组为四组，并以对置的形式连接在所述金属面的相对侧边，每组所述电变性构件组包括三个电变性构件和两个L型悬臂梁，其中：位于所述电源接口与其中一个L型悬臂梁之间的电变性构件形成此组所述电变性构件组的第一形变点；位于两个所述L型悬臂梁之间的电变性构件形成此组所述电变性构件的第二形变点；以及位于所述金属面与其中另一个L型悬臂梁之间的电变性构件形成此组所述电变性构件组的第三形变点；当所述电源接口施加偏置电源时，所述电变性构件在第一形变点、第二形变点以及第三形变点发生同步或不同步形变；每个所述电变性构件由呈现双层结构的多根双晶片悬臂梁构成，且两层双晶片悬臂梁的热膨胀系数不同，多个由双晶片悬臂梁构成所述电变性构件共同构成双晶片悬臂梁阵列；和或所述基底组件包括衬底和金属基底，所述衬底形成安装槽，所述金属基底置于所述安装槽内。

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