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功率半导体装置 

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申请/专利权人:日立汽车系统株式会社

摘要:本发明的功率半导体装置包括:绝缘基板,该绝缘基板的一个面配置有第一导体层;第一导体,该第一导体经由第一连接材料连接到所述第一导体层;以及半导体元件,该半导体元件经由第一连接材料与所述第一导体连接,在从所述半导体元件的电极面的直角方向看的情况下,所述第一导体具有形成得比所述半导体元件大的周边部,在所述周边部形成有用于使所述第一连接材料的厚度比其他部分厚的第一凹部。

主权项:1.一种功率半导体装置,其特征在于,包括:第一绝缘基板,该第一绝缘基板的一个面配置有第一导体层;半导体元件;以及第一导体,该第一导体具有周边部和狭窄部,所述周边部经由第一连接材料连接到所述第一导体层,所述狭窄部经由第二连接材料与所述半导体元件连接,在从所述半导体元件的电极面的直角方向看的情况下,所述第一导体的所述狭窄部比所述第一导体的所述周边部窄,所述第一导体的所述周边部比所述半导体元件大,在所述周边部形成有用于使所述第一连接材料的厚度比其他部分厚的第一凹部。

全文数据:

权利要求:

百度查询: 日立汽车系统株式会社 功率半导体装置

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