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功率半导体装置 

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申请/专利权人:日立安斯泰莫株式会社

摘要:本发明的目的在于提供一种能抑制组装效率的降低并提高抗震性的功率半导体装置。本发明的功率半导体装置1包括元件设置导体2,其由设置功率半导体元件300的金属制的第一导体部20a、构成一个以上的向功率半导体元件300传输电流的主端子2a和一个以上的向功率半导体元件300传输开关控制信号的控制端子2b的金属制的第二导体部2b、以及设置在控制端子2b的前端部的金属制的第三导体部20c构成,元件设置导体2形成为第二导体部20b最厚部分的厚度比第一导体部20a的厚度要薄,且第三导体部20c最厚部分的厚度比第二导体部20b最薄部分的厚度要薄。

主权项:1.一种功率半导体装置,其特征在于,包括:功率半导体元件;以及元件设置导体,该元件设置导体由设置所述功率半导体元件的金属制的第一导体部、构成一个以上的向所述功率半导体元件传输电流的主端子和一个以上的向所述功率半导体元件传输开关控制信号的控制端子的金属制的第二导体部、以及设置在所述控制端子的前端部的金属制的第三导体部所构成,所述元件设置导体形成为所述第二导体部最厚部分的厚度比所述第一导体部的厚度要薄,并且所述第三导体部最厚部分的厚度比所述第二导体部最薄部分的厚度要薄。

全文数据:

权利要求:

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