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申请/专利权人：朗姆研究公司
摘要：在非铜衬垫层上实现特征中的铜的无孔隙由下往上填充。非铜衬垫层具有比铜更高的电阻率。用于将铜镀覆于非铜衬垫层上的电镀溶液包含低铜浓度、高pH、有机添加剂以及作为铜络合剂的溴离子。高pH和溴离子不会干扰有机添加剂的活性。在一些实现方案中，铜离子浓度为介于约0.2gL至约10gL之间，硫酸浓度为介于约0.1gL至约10gL之间，并且溴离子的浓度为介于约20mgL至约240mgL之间。在一些实现方案中，电镀溶液还包含氯离子作为额外的铜络合剂，其浓度为介于约0.1mgL至约100mgL之间。
主权项：1.一种电镀铜至晶片的表面上的方法，所述方法包括：接收晶片，所述晶片在所述晶片的所述表面处具有多个特征和钴衬垫层；以及使所述晶片的所述表面与电镀溶液接触，其中所述电镀溶液包含：铜离子，其在所述电镀溶液中的浓度为介于0.2gL至3gL之间；加速剂添加剂；抑制剂添加剂；和第一无机络合剂，其包括溴离子，其中所述溴离子的浓度为介于30mgL至200mgL之间；酸，其中电镀液的pH大于2.0，其中电镀液中酸的浓度介于0.5gL至5gL之间；和包含氯离子的第二无机络合剂；以及电镀铜至所述钴衬垫层上，以利用铜填充所述多个特征。
全文数据：
权利要求：
百度查询： 朗姆研究公司 在非铜衬垫层上的铜电填充
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