龙图腾网&IPTOP
- 微信扫码登录
- 账号密码登录
- 短信登录/注册
买专利卖专利找龙图腾，真高效！ 查专利查商标用IPTOP,全免费！专利年费监控用IP管家,真方便！
申请/专利权人：安世有限公司
摘要：一种制造半导体器件的方法，包括：形成具有表面的半导体材料区；形成从该表面延伸到该半导体材料区中的沟槽；沿着该沟槽的内壁沉积第一氧化物，该第一氧化物形成第一斜坡衬垫并具有第一回蚀比；沿着已经沿着该沟槽的内壁沉积的该第一氧化物沉积第二氧化物，该第二氧化物形成第二斜坡衬垫并具有高于该第一回蚀比的第二回蚀比；以及同时回蚀该第一氧化物和该第二氧化物以在该沟槽内形成包括该第一氧化物和该第二氧化物的斜坡形态。
主权项：1.一种制造半导体器件的方法，包括：形成具有表面的半导体材料区；形成从所述表面延伸到所述半导体材料区中的沟槽；沿着所述沟槽的内壁沉积第一氧化物，所述第一氧化物形成第一斜坡线并具有第一回蚀比；沿着已经沿着所述沟槽的所述内壁沉积的所述第一氧化物沉积第二氧化物，所述第二氧化物不同于所述第一氧化物，所述第二氧化物形成第二斜坡线并具有高于所述第一回蚀比的第二回蚀比；同时回蚀所述第一氧化物和所述第二氧化物以在所述沟槽内形成包括所述第一氧化物和所述第二氧化物的斜坡形态沿着所述斜坡形态沉积第三氧化物，以在所述沟槽内形成包括所述第一氧化物、所述第二氧化物和所述第三氧化物的第二斜坡形态。
全文数据：
权利要求：
百度查询： 安世有限公司 在基于沟槽的半导体器件中形成斜坡衬垫
免责声明
1、本报告根据公开、合法渠道获得相关数据和信息，力求客观、公正，但并不保证数据的最终完整性和准确性。
2、报告中的分析和结论仅反映本公司于发布本报告当日的职业理解，仅供参考使用，不能作为本公司承担任何法律责任的依据或者凭证。
主营中国专利交易买卖与专利转让许可,高校科技成果推广与科技成果转化,知识产权运营管理与平台开发,科技人才专家库与科技猎头等科技服务
开放平台
担保交易
惠及多方
会员特惠
专属平台
适合多方
数据共享
功能齐全
皖公网安备 34010402703815号