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申请/专利权人：杭州海康威视数字技术股份有限公司
摘要：本发明公开一种雪崩二极管、光电二极管器件和探测器，雪崩二极管包括具有第一掺杂类型的衬底、第三半导体区以及第四半导体区，具有第二掺杂类型的第一半导体区和第二半导体区，第一半导体区由衬底的第一表面向第二表面延伸设置；第二半导体区由第一表面向第二表面延伸设置，并包裹于第一半导体区的周缘；第三半导体区由第二半导体区背离第一表面的一侧向第二表面延伸设置，第三半导体区与第一半导体区在第一表面至第二表面的方向上至少部分重叠；第四半导体区与第二半导体区在平行于第一表面的方向具有间隔，第四半导体区以第一半导体区的中垂线为轴对称设置。本发明技术方案的雪崩二极管可减少边缘击穿并提高探测效率。
主权项：1.一种雪崩二极管，其特征在于，包括：衬底，具有第一掺杂类型，所述衬底形成有相对的第一表面和第二表面；第一半导体区，具有第二掺杂类型，所述第一半导体区由所述第一表面向所述第二表面延伸设置；第二半导体区，具有所述第二掺杂类型，所述第二半导体区由所述第一表面向所述第二表面延伸设置，并包裹于所述第一半导体区的周缘，所述第二半导体区的掺杂浓度小于所述第一半导体区的掺杂浓度；第三半导体区，具有所述第一掺杂类型，所述第三半导体区由所述第二半导体区背离所述第一表面的一侧向所述第二表面延伸设置，所述第三半导体区与所述第一半导体区在所述第一表面至第二表面的方向上至少部分重叠；以及第四半导体区，具有所述第一掺杂类型，所述第四半导体区的掺杂浓度大于所述第三半导体区的掺杂浓度，所述第四半导体区与所述第二半导体区之间在平行于所述第一表面的方向上具有间隔，所述第四半导体区设于所述第一表面或第二表面，并以所述第一半导体区的中垂线为轴对称设置。
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权利要求：
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