龙图腾网&IPTOP
- 微信扫码登录
- 账号密码登录
- 短信登录/注册
买专利卖专利找龙图腾，真高效！ 查专利查商标用IPTOP,全免费！专利年费监控用IP管家,真方便！
申请/专利权人：东南大学
摘要：本发明公开了一种关于IGBT的全区域退化表征方法，在IGBT集电极和发射极之间施加从0V逐步增大的负压，在每一个Vce下对IGBT的栅极进行电压扫描并且叠加小信号，栅压扫描范围为Vg1～Vg2。在每一个Vce下，测试Vg1～Vg2下的栅电容Cg，绘制Cg‑Vg曲线并分区。以相同的电压施加方式对退化后的器件再次测试Vg1～Vg2的栅电容Cg值，绘制Cg‑Vg曲线并且以同样的方式分区。对比退化前后曲线不同区域的漂移情况，表征IGBT功率器件全区域的退化情况、损伤程度。本方法可以简单快速地提取IGBT功率器件栅氧层和外延层的退化情况，为IGBT功率器件可靠性的分析提供快速的判定依据。
主权项：1.一种关于IGBT的全区域退化表征方法，其特征在于，执行如下步骤S1-步骤S6，表征待测IGBT器件全区域的退化情况、损伤程度：步骤S1：搭建测试电路，针对待测IGBT器件，用电压源向待测IGBT器件的集电极和发射极之间施加由0V逐步增大的偏置电压，对待测IGBT器件的栅极进行电压扫描并且叠加交流小信号；步骤S2：提取待测IGBT器件的栅极电压扫描过程中每个栅极电压Vg下的栅极电容Cg，绘制栅极电容随栅极电压变化曲线Cg-Vg；步骤S3：将待测IGBT器件的集电极和发射极之间施加的偏置电压值由0V向负压方向逐渐增大，以与步骤S1相同的电压施加方式对栅极进行电压扫描并且叠加交流小信号；步骤S4：重复步骤S2；步骤S5：待测IGBT器件发生由应力引入的退化后，重复步骤S1-步骤S4，再次绘制栅极电容随栅极电压变化曲线Cg-Vg；步骤S6：根据栅极电容Cg的变化，将栅极电容随栅极电压变化曲线Cg-Vg分区，分别表示待测IGBT器件各区域的退化情况，对比待测IGBT器件退化前后栅极电容随栅极电压变化曲线Cg-Vg的横向与纵向漂移情况，基于曲线Cg-Vg的漂移幅度分析待测IGBT器件各区域的损伤程度。
全文数据：
权利要求：
百度查询： 东南大学 一种关于IGBT的全区域退化表征方法
免责声明
1、本报告根据公开、合法渠道获得相关数据和信息，力求客观、公正，但并不保证数据的最终完整性和准确性。
2、报告中的分析和结论仅反映本公司于发布本报告当日的职业理解，仅供参考使用，不能作为本公司承担任何法律责任的依据或者凭证。
主营中国专利交易买卖与专利转让许可,高校科技成果推广与科技成果转化,知识产权运营管理与平台开发,科技人才专家库与科技猎头等科技服务
开放平台
担保交易
惠及多方
会员特惠
专属平台
适合多方
数据共享
功能齐全
皖公网安备 34010402703815号