龙图腾网&IPTOP
- 微信扫码登录
- 账号密码登录
- 短信登录/注册
买专利卖专利找龙图腾，真高效！ 查专利查商标用IPTOP,全免费！专利年费监控用IP管家,真方便！
申请/专利权人：武汉衡惯科技发展有限公司
摘要：本发明涉及惯性传感器技术领域，具体涉及一种MEMS惯性传感器及其晶圆级制作方法，该方法包括如下步骤：S1、在ASIC晶圆上制作第一牺牲层并图形化，得到第一中间结构；S2、在第一中间结构上制作敏感结构层，得到第二中间结构；S3、在第二中间结构上制作第二牺牲层并图形化，得到第三中间结构；S4、在第三中间结构上制作盖板；S5、释放所述第一牺牲层和所述第二牺牲层，形成具有多个MEMS惯性传感器的晶圆结构；S6、对所述晶圆结构进行划片，得到多个MEMS惯性传感器。本发明在制作好的ASIC晶圆上进行敏感结构层和盖板的晶圆级制备，ASIC晶圆作为MEMS惯性传感器的下盖，无需单独制备下盖结构，能够有效简化工艺，提高不同MEMS惯性传感器之间的一致性；且不存在多层结构的键合，避免了高温高压过程，提升MEMS惯性传感器的性能。
主权项：1.一种MEMS惯性传感器的晶圆级制作方法，其特征在于，包括如下步骤：S1、在ASIC晶圆上制作第一牺牲层并图形化，得到第一中间结构；S2、在第一中间结构上制作敏感结构层，得到第二中间结构；S3、在第二中间结构上制作第二牺牲层并图形化，得到第三中间结构；S4、在第三中间结构上制作盖板；S5、释放所述第一牺牲层和所述第二牺牲层，形成具有多个MEMS惯性传感器的晶圆结构；S6、对所述晶圆结构进行划片，得到多个MEMS惯性传感器。
全文数据：
权利要求：
百度查询： 武汉衡惯科技发展有限公司 一种MEMS惯性传感器及其晶圆级制作方法
免责声明
1、本报告根据公开、合法渠道获得相关数据和信息，力求客观、公正，但并不保证数据的最终完整性和准确性。
2、报告中的分析和结论仅反映本公司于发布本报告当日的职业理解，仅供参考使用，不能作为本公司承担任何法律责任的依据或者凭证。
主营中国专利交易买卖与专利转让许可,高校科技成果推广与科技成果转化,知识产权运营管理与平台开发,科技人才专家库与科技猎头等科技服务
开放平台
担保交易
惠及多方
会员特惠
专属平台
适合多方
数据共享
功能齐全
皖公网安备 34010402703815号