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申请/专利权人：无锡舜铭存储科技有限公司
摘要：一种FRAM存储器器件可以包括多个FRAM存储器单元，每个FRAM存储单元包括一个晶体管和电耦合到所述至少一个晶体管的一个电容器。电容器可以被配置为存储数据位。存储器器件还可以包括局部位线，所述局部位线被配置为输送要从所述多个存储器单元读取或写入到所述多个存储器单元的数据。存储器器件可以进一步包括全局位线，全局位线被配置为与局部位线通信以输送要被读取或写入到多个存储器单元的数据。存储器器件可以附加地包括局部感测放大器，所述局部感测放大器被配置为基于参考信号放大局部位线中的信号且将放大的信号传送到全局位线。存储器器件还可以包括放大器或缓冲器，所述放大器或缓冲器被配置为提供参考信号以驱动包括局部感测放大器的多个局部感测放大器。
主权项：1.一种存储器器件，包括：多个存储器单元，每个存储器单元包括至少一个晶体管和电耦合到所述至少一个晶体管的一个电容器，其中所述电容器被配置为存储数据位；局部位线，被配置为输送要从所述多个存储器单元读取或写入到所述多个存储器单元的数据；全局位线，被配置为与所述局部位线通信以输送要从所述多个存储器单元读取或写入到所述多个存储器单元的数据；局部感测放大器，被配置为基于参考信号放大所述局部位线中的信号并将放大的信号传送到所述全局位线；以及缓冲器，被配置为提供所述参考信号以驱动包括所述局部感测放大器的多个局部感测放大器。
全文数据：
权利要求：
百度查询： 无锡舜铭存储科技有限公司 铁电存储器参考生成
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