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申请/专利权人：苏州格罗德集成电路有限公司
摘要：本发明涉及半导体技术领域，提出了一种低阻抗晶圆及其制备工艺，包括材料制备、绝缘层制备、光刻、蚀刻、掺杂处理、薄膜沉积以及抛光清洗，其中在掺杂处理中通过离子注入法向单晶硅中掺入磷或硼元素制得低阻抗晶圆，同时让晶圆在薄膜沉积过程中相对靶材旋转。通过上述技术方案，解决了现有技术中的低阻抗晶圆制备以及提高晶圆制备过程中金属层沉积均匀性的问题。
主权项：1.一种低阻抗晶圆，其特征在于，包括掺杂有磷或硼的晶圆本体，所述晶圆本体上设置有绝缘层，所述绝缘层上设置有由导电金属构成的导电层。
全文数据：
权利要求：
百度查询： 苏州格罗德集成电路有限公司 低阻抗晶圆及其制备工艺
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