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摘要：本公开涉及一种顶层金属的制备方法、顶层金属及电子设备，涉及半导体制造技术领域，该方法包括：提供基底，于基底上形成沿平行于基底的第一方向间隔排布的多个沟槽；形成至少覆盖基底的顶面及多个沟槽的内表面的粘附阻挡层；于多个沟槽外的粘附阻挡层上形成抑制成核层；形成覆盖抑制成核层的裸露外表面并填充多个沟槽的金属材料层；自对准并去除凹槽正下方的金属材料层、抑制成核层、粘附阻挡层，得到沿第一方向间隔排布的多条顶层金属线，以及位于多条顶层金属线与基底之间的金属阻挡层。本公开实施例至少能够有效避免出现因顶层金属线热胀冷缩而导致晶圆弯曲程度值增加的情况。
主权项：1.一种顶层金属制备方法，其特征在于，包括如下步骤：提供基底，于所述基底上形成沿平行于所述基底的第一方向间隔排布的多个沟槽；形成至少覆盖所述基底的顶面及所述多个沟槽的内表面的粘附阻挡层；于所述多个沟槽外的粘附阻挡层上形成抑制成核层，所述抑制成核层包括用于限定顶层金属的多个开口图形，所述多个开口图形暴露出所述多个沟槽；形成覆盖所述抑制成核层的裸露外表面并填充所述多个沟槽的金属材料层；其中，所述金属材料层的顶面包括沿所述第一方向交替排布的目标图案、凹槽，所述凹槽位于所述粘附阻挡层的正上方；自对准并去除所述凹槽正下方的金属材料层、抑制成核层、粘附阻挡层，得到沿所述第一方向间隔排布的多条顶层金属线，以及位于所述多条顶层金属线与所述基底之间的金属阻挡层。
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百度查询： 上海积塔半导体有限公司 顶层金属的制备方法、顶层金属及电子设备
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