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申请/专利权人：北京大学
摘要：本申请提供一种用于拉曼光谱成像的纳米柱阵列衬底及其制备方法、检测芯片，涉及检测芯片技术领域，提供晶圆基底，在其一侧形成原始功能层；在原始功能层背离晶圆基底的一侧形成沿行方向和列方向阵列排布的多个第一掩膜图案；以第一掩膜图案为掩膜对原始功能层进行各向同性刻蚀处理，形成多个原始功能结构；去除第一掩膜图案，以原始功能结构为掩膜对晶圆基底进行浅深硅刻蚀处理，形成纳米柱阵列衬底。该方法结合各向同性刻蚀，在晶圆基底上形成阵列排布的多个目标功能结构，有效提升光刻形成的目标功能结构的精度，通过需要掩膜的低精度光刻技术实现高精度的纳米柱阵列衬底的制备，进一步应用至拉曼光谱成像中外泌体的检测。
主权项：1.一种用于拉曼光谱成像的纳米柱阵列衬底的制备方法，其特征在于，所述方法包括：提供晶圆基底；在所述晶圆基底的一侧形成原始功能层，所述原始功能层包括第一原始功能子层和第二原始功能子层，所述第二原始功能子层设置在所述晶圆基底背离所述第一原始功能子层的一侧，所述第一原始功能子层为用于直接结合目标外泌体的单原子膜层，所述第一原始功能子层的材料为氧化钛，所述第二原始功能子层的材料为铬金合金；在所述原始功能层背离所述晶圆基底的一侧形成沿行方向和列方向阵列排布的多个第一掩膜图案；以所述多个第一掩膜图案为掩膜对所述第二原始功能子层进行各向同性刻蚀处理，形成多个第二原始功能子结构，所述第二原始功能子结构在所述晶圆基底上的正投影位于所述第一掩膜图案在所述晶圆基底上的正投影内部；去除所述多个第一掩膜图案，以所述多个第二原始功能子结构为掩膜对所述第一原始功能子层进行各向异性刻蚀处理，得到多个原始功能结构，所述第二原始功能子结构在所述晶圆基底上的正投影和所述原始功能结构在所述晶圆基底上的正投影重合；去除所述多个第二原始功能子结构，以所述多个原始功能结构为掩膜对所述晶圆基底进行浅硅刻蚀处理，形成纳米柱阵列衬底，所述纳米柱阵列衬底包括沿所述行方向和所述列方向阵列排布的多个目标功能结构，所述纳米柱阵列衬底用于基于拉曼成像的外泌体检测。
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权利要求：
百度查询： 北京大学 用于拉曼光谱成像的纳米柱阵列衬底及其制备方法、检测芯片
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