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申请/专利权人：武汉工程大学

摘要：本发明公开一种基于不同阶的分数阶离散忆阻器的多稳定性电路，包括：第一分数阶离散忆阻器电路、第二分数阶离散忆阻器电路、第三分数阶离散忆阻器电路和分数阶Logistic映射电路。本发明的不同阶的分数阶离散忆阻器的阶数选取范围均为0‑1，不同阶数的引入使得分数阶离散忆阻器电路具有更灵活、丰富的动态特性和记忆性能，能够更好地适应不同系统的需求，并且基于不同阶的分数阶离散忆阻器的多稳定性电路具有初值调控，对称吸引子，振幅双向调控和偏移增强等复杂丰富的混沌特性。

主权项：1.一种基于不同阶的分数阶离散忆阻器的多稳定性电路，其特征在于，包括：第一分数阶离散忆阻器电路、第二分数阶离散忆阻器电路、第三分数阶离散忆阻器电路和分数阶Logistic映射电路；第一分数阶离散忆阻器电路的阶次为、第二分数阶离散忆阻器电路的阶次为、第三分数阶离散忆阻器电路的阶次为；第一分数阶离散忆阻器电路用于产生混沌序列，第二分数阶离散忆阻器电路用于产生混沌序列，第三分数阶离散忆阻器电路用于产生混沌序列，分数阶Logistic映射电路用于产生混沌序列；其中，第一分数阶离散忆阻器电路、第二分数阶离散忆阻器电路、第三分数阶离散忆阻器电路表达式为： 其中，，表示忆阻器输出电压，表示忆阻器输入电流，表示电荷量，表示忆阻值，表示忆阻器模型的参数，表示第一分数阶离散忆阻器电路中直流电源V1的值，表示第一分数阶离散忆阻器电路中直流电源V2的值，是历史数据的系数，表示Grunwald-Letnikov型分数阶差分定义，表示分别选取的不同数值的分数阶差分的阶次，表示当前迭代次数，表示内存长度；分数阶Logistic映射电路表达式为： 其中，；为系统参数；不同阶的分数阶离散忆阻器的多稳定性电路表达式为： 其中，、、，L=3,；和为三个分数阶离散忆阻器在0到1内的数值不同的阶次，表示第一分数阶差分算子电路中直流电源VA1的值，表示第二分数阶差分算子电路中直流电源VB1的值，表示第三分数阶差分算子电路中直流电源VC1的值；和为忆阻器耦合混沌映射的耦合参数，第一分数阶离散忆阻器电路中直流电源V4的值，用参数表示，第二分数阶离散忆阻器电路中直流电源V6的值，用参数表示，第三分数阶离散忆阻器电路中直流电源V8的值，用参数表示；为系统参数，表示分数阶Logistic映射电路中直流电源V10的值，表示第一分数阶离散忆阻器电路、第二分数阶离散忆阻器电路、第三分数阶离散忆阻器电路中直流电源VA6、VB6、VC6的值。

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百度查询： 武汉工程大学 一种基于不同阶的分数阶离散忆阻器的多稳定性电路