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申请/专利权人：江南大学
摘要：本发明公开了一种利用原子层沉积制备单质钨薄膜的方法，属于纳米材料领域。针对“制备钨膜的ALD工艺中所使用的前驱体都含有卤素，其在沉积过程中产生的副产物会与其它膜层发生不必要的反应而导致缺陷形成，这将限制器件工艺尺寸的小型化”的问题，本发明以钨氢化物类为前驱体，肼类、硅烷、硼烷或氢气为还原性前驱体，利用热型原子层沉积技术即可沉积连续均匀的单质钨薄膜。本发明使用不含卤素的前驱体，解决了原有技术沉积薄膜工艺中副产物对材料的刻蚀问题；本发明沉积得到的单质钨薄膜均匀性优秀，台阶覆盖率好；此外，本发明且可以用于制备小尺寸的半导体材料。
主权项：1.一种利用原子层沉积制备单质钨薄膜的方法，其特征在于，所述的方法是以钨氢化物类为钨源前驱体，肼类、硅烷、硼烷或氢气为还原性前驱体，利用热型原子层沉积技术制备单质钨薄膜。
全文数据：
权利要求：
百度查询： 江南大学 一种利用原子层沉积制备单质钨薄膜的方法
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