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申请/专利权人：江西尚朋电子科技有限公司
摘要：本发明属于半导体材料技术领域。更具体地，涉及一种高温低损耗铁氧体材料的制备方法。本发的制备方法具体包括：按照摩尔份数计，分别取70‑75份Fe2O3，18‑20份ZnO，9‑12份MnO，0.8‑1.2份KMnO4，0.01‑0.02份氧化亚硅，0.03‑0.05份氧化亚铜；先将Fe2O3、ZnO和MnO一次球磨混合均匀后，干燥，得干燥一次球磨料；将干燥一次球磨料于温度为820‑850℃条件下预烧2h后，冷却，出料，得到一次预烧料；将一次预烧料、KMnO4、氧化亚硅和氧化亚铜二次球磨混合均匀后，干燥，得干燥二次球磨料；将二次球磨料和粘结剂混合后，压制成坯体；将坯体转入烧结炉中，先以3‑5℃min速率加热升温至850‑900℃后，以0.4‑0.6℃min速率缓慢升温至1265‑1275℃，持续烧结3h后，冷却，出料，即得高温低损耗铁氧体材料。
主权项：1.一种高温低损耗铁氧体材料的制备方法，其特征在于，具体制备步骤包括：按照摩尔份数计，分别取70-75份Fe2O3，18-20份ZnO，9-12份MnO，0.8-1.2份KMnO4，0.01-0.02份氧化亚硅，0.03-0.05份氧化亚铜；先将Fe2O3、ZnO和MnO一次球磨混合均匀后，干燥，得干燥一次球磨料；将干燥一次球磨料于温度为820-850℃条件下预烧2h后，冷却，出料，得到一次预烧料；将一次预烧料、KMnO4、氧化亚硅和氧化亚铜二次球磨混合均匀后，干燥，得干燥二次球磨料；将干燥二次球磨料和粘结剂混合后，压制成坯体；将坯体转入烧结炉中，先以3-5℃min速率加热升温至850-900℃后，以0.4-0.6℃min速率缓慢升温至1265-1275℃，持续烧结3h后，冷却，出料，即得高温低损耗铁氧体材料。
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