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申请/专利权人：苏州晶湛半导体有限公司
摘要：本申请提供了一种发光器件及其制作方法，发光器件包括：基底、第一掩膜层、第一外延层与发光结构；第一掩膜层位于基底上，第一掩膜层具有暴露基底的第一窗口，第一窗口包括开口端，开口端在基底所在平面上的正投影的面积小于与第一窗口在基底所在平面上的正投影的面积；第一外延层自基底外延生长至填满第一窗口；发光结构位于第一外延层与第一掩膜层上。根据本发明的实施例，使用具有第一掩膜层的基底作为外延生长GaN基材料的基底，利用第一窗口的内收侧壁，使得外延生长的GaN基材料的位错终止在第一窗口的侧壁，无法在第一窗口外继续延伸。因而，可以降低GaN基材料的位错密度，提高发光器件的发光效率。
主权项：一种发光器件，其特征在于，包括：基底10；第一掩膜层11，位于所述基底10上；所述第一掩膜层11具有暴露所述基底10的第一窗口110，所述第一窗口110包括开口端110a，所述开口端110a在所述基底10所在平面上的正投影的面积小于与所述第一窗口110在所述基底10所在平面上的正投影的面积；第一外延层13，自所述基底10外延生长至填满所述第一窗口110；发光结构14，位于所述第一外延层13与所述第一掩膜层11上。
全文数据：
权利要求：
百度查询： 苏州晶湛半导体有限公司 发光器件及其制作方法
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