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申请/专利权人：贺利氏科纳米北美有限责任公司

摘要：一种抛光多晶烧结陶瓷体的表面的方法，该方法包括以下步骤：a提供烧结陶瓷体，该烧结陶瓷体包括多晶材料并且具有该多晶材料的理论密度的约99.5％至约99.999％的密度，其中该烧结陶瓷体具有至少一个表面；b研磨该至少一个表面，直至该表面具有I如使用球径计所测量，在该至少一个表面的四个象限上以0°、90°、180°和270°的角度测量的平均不大于25微米的平面度，ii小于14微英寸的Ra，以及iii小于160微英寸的Rz；c在该研磨步骤之后，用精研板和精研介质浆料精研该至少一个表面；d在精研之后，在一系列抛光步骤中连续地抛光该至少一个表面，直至该至少一个表面呈现≤2微英寸的Ra值和≤2微英寸的Rz以及大于15微米的平面度的绝对值如使用球径计所测量，其中该抛光使用包括椭圆振动的多个轨道砂磨机的装置进行，该轨道砂磨机中的每一个轨道砂磨机包括抛光垫以在抛光期间接触该至少一个表面，其中该一系列抛光步骤包括：i第一抛光步骤，其中该抛光垫与4微米至10微米粗砂颗粒的浆料一起使用；以及ii第二抛光步骤，其中该抛光垫与1微米至3微米粗砂颗粒的浆料一起使用。

主权项：1.一种抛光多晶烧结陶瓷体的表面的方法，所述方法包括以下步骤：a.提供烧结陶瓷体，所述烧结陶瓷体包括多晶材料并且具有所述多晶材料的理论密度的约99.5％至约99.999％的密度，其中所述烧结陶瓷体具有至少一个表面；b.研磨所述至少一个表面，直至所述表面具有i如使用球径计所测量，在所述至少一个表面的四个象限上以0°、90°、180°和270°的角度测量的平均不大于25微米的平面度，ii小于0.3556μm14微英寸的Ra，以及iii小于4.064μm160微英寸的Rz，其中Ra意指作为在测量长度内偏离中心线的所有绝对粗糙度轮廓的整数平均数的表面的平均粗糙度，并且Rz意指作为在所述测量长度内五个连续取样长度的绝对峰到谷平均值的所述表面中最高峰与最深谷之间的差；c.在所述研磨步骤之后，用精研板和精研介质浆料精研所述至少一个表面；d.在精研之后，在一系列抛光步骤中连续地抛光所述至少一个表面，直至所述至少一个表面呈现≤0.0508μm2微英寸的Ra值和≤0.0508μm2微英寸的Rz以及如使用球径计所测量的大于15微米的平面度的绝对值，其中所述抛光使用包括椭圆振动的多个轨道砂磨机的装置进行，所述轨道砂磨机中的每一个轨道砂磨机包括抛光垫以在抛光期间接触所述至少一个表面，其中所述一系列抛光步骤包括：i.第一抛光步骤，其中所述抛光垫与4微米至10微米粗砂颗粒的浆料一起使用；以及ii.第二抛光步骤，其中所述抛光垫与1微米至3微米粗砂颗粒的浆料一起使用。

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