龙图腾网&IPTOP
- 微信扫码登录
- 账号密码登录
- 短信登录/注册
买专利卖专利找龙图腾，真高效！ 查专利查商标用IPTOP,全免费！专利年费监控用IP管家,真方便！
申请/专利权人：重庆邮电大学
摘要：本发明涉及一种集成Fin‑NMOS和反向导通晶闸管的低损耗RC‑LIGBT器件，属于半导体技术领域，所述器件分为LIGBT区域、Fin‑NMOS区域和反向导通晶闸管区域；所述反向导通晶闸管区域用于实现晶闸管的反向导通；所述Fin‑NMOS区域用于实现器件的低关断损耗。本发明的反向导通压降相比DED‑RC‑LIGBT器件降低了12％，且反向恢复电荷相比DED‑RC‑LIGBT器件降低了25％，在相同关断损耗下本发明的正向导通压降相比DED‑RC‑LIGBT降低了7％，在相同导通压降下本发明的关断损耗相比DED‑RC‑LIGBT器件降低了23.8％。
主权项：1.一种集成Fin-NMOS和反向导通晶闸管的低损耗RC-LIGBT器件，其特征在于：所述器件分为LIGBT区域、Fin-NMOS区域和反向导通晶闸管区域；所述反向导通晶闸管区域用于实现晶闸管的反向导通；所述Fin-NMOS区域用于实现器件的低关断损耗。
全文数据：
权利要求：
百度查询： 重庆邮电大学 一种集成Fin-NMOS和反向导通晶闸管的低损耗RC-LIGBT器件
免责声明
1、本报告根据公开、合法渠道获得相关数据和信息，力求客观、公正，但并不保证数据的最终完整性和准确性。
2、报告中的分析和结论仅反映本公司于发布本报告当日的职业理解，仅供参考使用，不能作为本公司承担任何法律责任的依据或者凭证。
主营中国专利交易买卖与专利转让许可,高校科技成果推广与科技成果转化,知识产权运营管理与平台开发,科技人才专家库与科技猎头等科技服务
开放平台
担保交易
惠及多方
会员特惠
专属平台
适合多方
数据共享
功能齐全
皖公网安备 34010402703815号