龙图腾网&IPTOP
- 微信扫码登录
- 账号密码登录
- 短信登录/注册
买专利卖专利找龙图腾，真高效！ 查专利查商标用IPTOP,全免费！专利年费监控用IP管家,真方便！
申请/专利权人：一道新能源科技股份有限公司
摘要：本申请公开了一种太阳能电池制备方法及太阳能电池，太阳能电池制备方法包括：对硅衬底依次进行制绒和硼扩散，以获得硅基体，所述硅基体的正面形成有预设绒面和预设硼硅玻璃层，所述预设绒面的反射率为9％～10％，所述预设硼硅玻璃层的厚度大于等于90nm；将两个所述硅基体的正面相互贴合后进行多晶硅沉积，以在所述硅基体的背面以及正面的四周边缘形成多晶硅层；通过磷扩散将所述多晶硅层转化成掺磷多晶硅层，并在所述掺磷多晶硅层的表面形成磷硅玻璃层；去除位于所述硅基体正面的四周边缘的所述磷硅玻璃层以及所述多晶硅层；去除位于所述硅基体正面的所述预设硼硅玻璃层以及背面的所述磷硅玻璃层。
主权项：1.一种太阳能电池制备方法，其特征在于，包括：对硅衬底依次进行制绒和硼扩散，以获得硅基体，所述硅基体的正面形成有预设绒面和预设硼硅玻璃层，所述预设绒面的反射率为9％～10％，所述预设硼硅玻璃层的厚度大于等于90nm；将两个所述硅基体的正面相互贴合后进行多晶硅沉积，以在所述硅基体的背面以及正面的四周边缘形成多晶硅层；通过磷扩散将所述硅基体背面的所述多晶硅层转化成掺磷多晶硅层，并在所述掺磷多晶硅层的表面形成磷硅玻璃层；去除位于所述硅基体正面的四周边缘的所述磷硅玻璃层以及所述多晶硅层；去除位于所述硅基体正面的所述预设硼硅玻璃层以及背面的所述磷硅玻璃层。
全文数据：
权利要求：
百度查询： 一道新能源科技股份有限公司 一种太阳能电池制备方法及太阳能电池
免责声明
1、本报告根据公开、合法渠道获得相关数据和信息，力求客观、公正，但并不保证数据的最终完整性和准确性。
2、报告中的分析和结论仅反映本公司于发布本报告当日的职业理解，仅供参考使用，不能作为本公司承担任何法律责任的依据或者凭证。
主营中国专利交易买卖与专利转让许可,高校科技成果推广与科技成果转化,知识产权运营管理与平台开发,科技人才专家库与科技猎头等科技服务
开放平台
担保交易
惠及多方
会员特惠
专属平台
适合多方
数据共享
功能齐全
皖公网安备 34010402703815号