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申请/专利权人:安徽芯视佳半导体显示科技有限公司
摘要:本发明公开了一种全彩硅基OLED显示器件结构及其制作方法,具有如下结构:第一层:金属Al或者金属Ag;第二层:ITO;第三层:氮化硅;第四层:氧化硅;第五层:ITO;第六层:TiN或者TaN;第七层:Ti或者Ta;第八层:氮化硅或者氧化硅或者氮氧化硅;第九层:蓝色OLED;第十层:绿色OLED;第十一层:红色OLED;第十二层:阴极;第十三层:第一次封装氮化硅;第十四层:第二次封装氮化硅;第十五层:氮化铝。
主权项:1.一种全彩硅基OLED显示器件结构,其特征在于,具有如下结构:第一层:金属Al或者金属Ag;第二层:ITO;第三层:氮化硅;第四层:氧化硅;第五层:ITO;第六层:TiN或者TaN;第七层:Ti或者Ta;第八层:氮化硅或者氧化硅或者氮氧化硅;第九层:蓝色OLED;第十层:绿色OLED;第十一层:红色OLED;第十二层:阴极;第十三层:第一次封装氮化硅;第十四层:第二次封装氮化硅;第十五层:氮化铝。
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百度查询: 安徽芯视佳半导体显示科技有限公司 一种全彩硅基OLED显示器件结构及其制作方法
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